主讲人简介：

郭俊雄，博士，成都大学特聘研究员。主要研究方向：人工视觉微纳光电子器件、智能感知系统、类脑神经态计算。毕业于电子科技大学A+学科，师从敏感电子专家林媛教授和微电子专家俞滨教授，长期致力于微纳光电子器件与集成系统方面的研究，特别是在低维材料光电探测器的设计、制备与表征测试，面向人工视觉的图像智能感知应用、类脑神经态计算等方面开展了深入的研究，现为成都大学微纳器件与集成系统实验室及团队负责人。近五年来，在Nature Communications、Nano Letters（封面）、IEEE EDL、IEEE T-IFS、IEEE T-AES、Science China Technological Sciences（封面）等国内外顶级刊物上发表SCI论文40余篇，单篇引用近100次，4篇引用超过50次，合著英文专著2章，申请发明专利10余项，主持国家自然科学基金、中国博士后科学基金特别资助与面上项目、四川省自然科学基金面上项目等多项科学研究项目，担任Advanced Functional Materials、Advanced Optical Materials、Applied Physics Letters等多个国际期刊SCI论文评审人，担任Physical Science & Biophysics Journal、四川师范大学学报等国内外重要学术期刊编委，受邀在MRS Fall Meeting、IEEE 3M Nano、中国物理年会等国内外学术会议交流汇报，担任全国电子信息材料与器件大会、全国光电科学与工程学术会议等会议专题委员。

主讲内容简介：

受人类大脑工作原理和结构启发，神经形态计算在机器学习、机器人技术、数据分析和自动驾驶等领域展现出重要应用潜力。然而，传统冯·诺依曼架构硬件存在固有局限，包括静态随机存取存储器、阻变存储器与相变存储器等非易失性存储器件，以及铁电存储器和离子浮栅存储器等三端器件技术，这些限制阻碍了神经形态算法的硬件部署。基于二维材料的光电突触器件，通过融合光学传感与突触可塑性，可支持视觉与感官数据的瞬时记忆和实时处理，实现对光刺激的直接响应。与传统CMOS传感器线性计算光强的方式不同，光电突触器件采用光电阻变存储器，通过光调控的时变可塑性模拟神经元感知功能，从而实现类人眼图像处理能力。然而，如何在二维材料中实现电学与光学特性的可控调节以获得连续突触权重仍具挑战。基于二维材料电荷输运行为的外部调控机制，等离子体辅助缺陷工程为传感层掺杂和突触权重精确调控提供了新解决方案。

会议主题：等离子辅助的表面缺陷型光电突触器件

讲座时间：2025-4-30 9:00-10:00

讲座地点：11325

主办单位：电子信息与电气工程学院